제품 및 기술
제품 설명
염화로 내화물의 손상 속도는 주로 Al2O3-SiO2 재료에서의 탄소 열 환원 속도에 의해 제어됩니다. 손상 과정은 다음과 같습니다.
(1) 벽돌 내부에서 외부의 CO 가스는 재료의 기공을 통해 내부로 확산되어 SiO2와 탄소 열 환원 반응을 일으켜 SiO와 CO2 가스를 생성하고, 이는 외부로 확산되어 벽돌 표면에 도달하면 SiO 가스는 표면의 C와 Cl2와 반응하여 SiCl4 가스를 생성하고, SiCl4 가스는 로 내부로 확산됩니다. CO 가스와 SiO2의 탄소 열 환원 반응으로 인해 재료 구조가 느슨해지고, 외부 CO가 벽돌 내부로 스며드는 통로가 추가로 형성됩니다. 이러한 과정이 반복되어 벽돌 내부의 CO 압력이 SiO2와 탄소 열 환원 반응을 일으킬 수 없을 정도로 작아지거나 반응 온도에 도달하지 못할 때까지 계속됩니다.
(2) 벽돌 표면에서는 SiO2가 C와 직접 탄소 열 환원 반응을 일으켜 SiO와 CO를 생성하고, 생성된 SiO는 C와 Cl2와 반응하여 SiCl4를 생성하고 로 내부로 직접 확산됩니다.
(3) 외부에 TiO2가 혼입되어 있습니다. 미세한 SiCl4 가스는 SiO2 탄소 열 환원 반응으로 형성된 통로를 통해 벽돌 내부로 지속적으로 침투하여 Al2O3-SiO2-TiO2 액상을 형성합니다(TiCl4의 이 상도에 대한 영향은 보고된 바가 없습니다). 이로 인해 재료 구조가 더욱 파괴되어 내마모성이 급격히 저하됩니다.
(4) 벽돌 내부 또는 표면에서 뮬라이트 입자는 기본적으로 원래 입자 형태를 유지하고 있으며, 이는 손상 속도가 탄소 열 환원 속도에 의해 제어되고 염소화 반응 속도와는 무관함을 다시 한번 증명합니다(열역학적으로 뮬라이트가 가장 쉽게 염소화 반응을 일으키는 것처럼 보이지만).
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